欢迎光临上海纽宏电子科技有限公司网站!
    首页>>新闻中心>>公司新闻

半导体瓷和高压电容器陶瓷球的区别

发布时间:2020-12-28

1.还原氧化型它是将高介电 常数基体(BaTiO)、(Sr, Ba) (Ti, Sn) O3等在还原气氛中还原成半导体,然后在空气中烧银,陶瓷表面被氧化形成薄的绝缘层,薄绝缘层作为介质也可获得大的比体积电容,但由于用这种介质所作的电容器的频率特性不好,可靠性差,限制了它在高频方面的应用。


2.晶界层半导体瓷它是将高介电常数基体 (Ba, Sr) TiO3进行施主掺杂改性并在还原或中性气氛中还原,然后在还原的基体上涂覆金属氧化物并在空气中进行热处理,绝缘氧化物沿晶界扩散,使半导体晶粒表面氧化形成绝缘层。整个陶瓷体的介电常数达800左右,有的高达14000左右,大大提高了比体积电容。用晶界层半导体瓷为介质所制得的电容器称为晶界层电容器。它不仅具有高比体积电容,而且频率特性优异,可用于信讯机上作为数千兆赫的宽频带耦合电容,此外它的电容温度系数小,绝缘电阻高,是性能更好的半导体电容器。此后又发现了性能更稳定、电容温度系数小的SrTiO3系半导体陶瓷电容器。


这类高压陶瓷电容器已广泛应用于电视机、 雷达高压电路及避雷器、断路器等方面,最近还成功地使用于脉冲气体激光装置的电源中,可使设备小型化、高性能化。


联系我们
  • 服务热线:021-59948269

    手机:

    传真:021-59948269

    邮箱:tangxiuguo@shojkj.com

    地址:上海市浦东新区张江镇盛荣路88弄源创谷4号楼201

    在线咨询>
Copyright © 2024 All Rights Reserved 上海纽宏电子科技有限公司 版权所有 沪ICP备2023009784号